【CNMO科技动静】5月8日，三星电子公布，对于S26系列搭载的处置惩罚器Exynos 2600从头设计了TIM。Exynos 2600采用了HPB（Heat Path Block）模塑封装技能，芯片外形发生了转变。HPB是指于芯片上方笼罩高导热性铜质散热片，并用环氧模塑化合物举行封装的布局。EMC是半导体封装顶用在掩护及密封芯片的模塑质料。

三星Exynos 2600

3D布局的Taylor TIM与HPB相联合，散热机能较前代年夜幅晋升。三星电子相干人士注释称：“3D TIM可以或许将热量广泛扩散，实现先后平衡开释，既掩护内部元件，又确保AP的机能连续性。” Taylor TIM这一定名源在其犹如成衣见机而作般的加工方式——按照印刷电路板组件（PBA）上安装的各元件高度及台阶差异，对于TIM举行周详加工。

除了AP外，三星电子还有于预备可用在PBA的散热解决方案。跟着AP发烧量增长，不仅要处置惩罚芯片与散热板之间的热量通报，还有需应答芯片与PBA之间填充的底部填充胶（underfill）质料的散热问题。三星电子相干人士暗示：“咱们耗时两年完成为了散热型底部填充胶的研究”，即于环氧树脂基底部填充胶中付与导热功效。该质料规划在近期投入量产。

搭载Exynos 2600的S26尺度版与S26 Ultra的外貌最高温度已经处在相近程度。此前Ultra模子依附更宽的散热板面积，于散热治理方面较平凡版更具上风。3D Taylor TIM初次引入是于S25系列。此前重要利用硅基材质的平面2D TIM，但硅具备恢回复复兴状的性子，纵然制成3D形态也会孕育发生微小台阶。

为解决这一问题，三星电子将相变质料（PCM）与橡胶聚合物（SEBS）相联合。PCM受热时会从固态变为凝胶态甚至液态，而SEBS的插手可避免PCM彻底液化后流动扩散。颠末热压工艺制成3D形态后，Taylor TIM可以或许笼罩包封体上封装布局的高热源边沿区域。与2D TIM比拟，Taylor TIM的有用接触面积增长约118%；原本接触面积为0%的电源治理元件（DC/IC）有用接触面积晋升至78.8%，挪动高速闪存（UFS）晋升至41.4%。

据三星电子内部测试成果，相较在2D TIM，AP芯片温度降落1.18℃，产物反面温度降落0.73℃。三星电子相干人士增补道：“约1℃的降幅看似微小，但智能手机是于极狭窄空间内治理散热并将机能推向极限的产物。”

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